УДК 621.315.592
Особенности изменения электрических параметров
кремниевых p+–n–n+-структур, облученных электронами.
А.М. Мусаев
Исследовано влияние электронного облучения с энергией электронов 4 МэВ на изменение основных электрофизических характеристик
диффузионных кремниевых p+–n–n+-структур. Показано, что в зависимости от дозы облучения существенно изменяются эффективность введения и
характер распределения радиационных дефектов в различных областях структур. Приведено физическое обоснование наблюдаемых эффектов.
PACS: 61.82.Fk
Ключевые слова: p–n- структура, кремний, электронное облучение, радиационные дефекты, прямое напряжение, обратный ток,
барьерная емкость, температура.
Мусаев Ахмед Магомедович, вед. научн. сотр.
Институт физики им. Х.И. Амирханова,
Дагестанский НЦ РАН.
Россия, 367003, Республика Дагестан,
г. Махачкала, ул. М. Ярагского, 94.
Е-mail: akhmed-musaev@yandex.ru
Статья поступила в редакцию 15 января 2013 г.
© Мусаев А.М., 2013
|
|
Литература
1. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. -Мн.: Наука и техника, 1978.
2. Козлов В.А., Козловский В.В. // ФТП. 2001. Т. 35. № 7. С. 769
3. Пагава Т.А. // ФТП. 2005. Т. 39. № 4. С. 424
4. Литвиненко А.Г., Мурин Л.И., Ткачев В.Д.// ФТП. 1977. Т. 11. № 8. С. 1586
5. Другова А.А., Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. № 1. С. 23.
6. Видалго Е.Н., Гайдар Г.П., Гирий В.А. // Неорганические материалы. 1986. Т. 22. № 4. С. 533
7. Казакевич Л.А., Луганов П.Ф, Ткачев В.Д. // ФТП. 1980. Т. 14. № 1. С. 128
8. Берман Л.С., Лебедев А.А. // Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. ? Л.: Наука, 1981
9. Пагава Т.А. // ФТП. 2006. Т. 40. № 8. С. 919
|
Скачать полный текст статьи в PDF-формате
 Содержание выпуска № 2
|