УДК: 537.311.322
Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe на подложках GaAs большого диаметра химическим осаждением из паров МОС и ртути
А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, Б.С. Степанов, К.Е. Савлинов,
А.П. Котков, Н.Д. Гришнова
Разработана отечественная MOCVD технология получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe
составов x = 0,22-0,45 с неоднородностью по площади Δх = ± 0,002–0,003 на подложках из GaAs(310) диаметром 2 дюйма. Эпитаксиальные
слои CdxHg1-xTe имели p-тип проводимости с концентрацией носителей
заряда p77=(0,6-2,0)·1016 см, подвижностью μ77=450-185 см2/В·с (x = 0,22-0,45)
и временем жизни неравновесных носителей заряда τ77 = 100-200 нс. Поверхностная плотность ростовых дефектов не превышала
100 см-2.
PACS: 81.05.Dz; 81.15.Gh
Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, эпитаксия, MOCVD, подложки GaAs, диэтилтеллур, диизопропилтеллур, диметилкадмий.
Чилясов Алексей Викторович, ст. научн. сотр.
Моисеев Александр Николаевич, зам. директора.
Степанов Борис Сергеевич, мл. научн. сотр.
Савлинов Кирилл Евгеньевич, инженер.
Котков Анатолий Павлович, ст. научн. сотр.
Гришнова Наталья Дмитриевна, ст. научн. сотр.
Институт химии высокочистых веществ РАН.
Россия, 603950, Нижний Новгород, ул. Тропинина, 49.
Тел.: (831)-462-76-02. E-mail: tchilyasov@ihps.nnov.ru
Статья поступила в редакцию 20 января 2013 г.
© Чилясов А.В., Моисеев А.Н., Степанов Б.С.,
Савлинов К.Е., Котков А.П., Гришнова Н.Д., 2013
|
|
Литература
1. Maxey C.D., Fitzmaurice J.C., Lau H.W. et al.//J.Electron. Mater. 2006. V. 35. № 6. P. 1275
2. Hipwood L.G., Jones C.L., Price J. et al.//Infrared Technology and Applications XXXV. Proc. of SPIE. 2009. V. 7298, 729820
3. Abbot P., Thorne P. M., Arthurs C.P.//Infrared technology and applications XXXVII. Proc. of SPIE. 2011. V. 8012, 801236
4. Triboulet R., Tromson-Carli A., Lorans D., Nguyen Duy T.//J. Electron. Mater. 1993. V. 22. No. 8. P. 827
5. Bubulac L.O., Edwall D.D., McConnell D. et al.//Semicond. Sci. Technol. 1990. V. 5. No. 3S. P. S45
6. Hall D.J., Buckle L., Gordon N.T. et al.//Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. No. 11. P. 2113
7. Edwall D.D., Chen J.S., Bajaj J., Gertner E.R.//Semicond. Sci. Technol. 1990. V. 5. No. 3S. P. S221
8. Maxey C.D., Camplin J.P., Guilfoy I.T. et al.//J. Electron. Mater. 2003. V. 32. No. 7. P. 656
9. Моисеев А.Н., Котков А.П., Голубев А.В. и др.//Неорганические материалы. 1996. T. 32. № 3. C. 309
10. Шабарова Л.В., Моисеев А.Н., Чилясов А.В., Степанов Б.С.//Современная наука: Исследования, идеи, результаты, технологии. Сб. научн. статей. вып. 2(10)-Киев: «НПВК-Триакон», 2012. C. 16
11. Hails J.E. //Adv. Mater. for Optics and Electron. 1994. V. 3. No. 1-6. P. 151
12. Suh, S., Kim S., Kim H., Song J.//J. Crystal Growth. 2002. V. 236. No. 1–3. P. 119
13. Tunnicliffe J., Irvine S.J.C., Dosser O.D., Mullin J.B.//J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 245
14. Моисеев А.Н., Котков А.П., Дорофеев В.В., Гришнова Н.Д.//Неорганические материалы. 2004. T. 40. № 1. C. 15
15. Chu J., Xu S., Tang D.//Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43. No. 11. P. 1064
16. Capper P., Maxey C.D., Whiffin P.A.C., Easton B.C.//J. Crystal Growth. 1989. V. 96. № 3. P. 519-532
17. Faurie J.P., Sporken R., Sivananthan S., Lange M.D.//J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. No. 1-4. P. 698
18. Котков А.П., Моисеев А.Н., Гришнова Н.Д., Чилясов А.В.//Прикладная физика. 2010. № 1. C. 81
19. Maxey C.D. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Growth // in book Capper P., Garland J. Mercury cadmium telluride: growth, properties, and applications. Wiley. 2011. ISBN 978-0-470-69706-1
20. Nishinoa H., Ozakia K., Tanakab M. et al. //J. Cryst. Growth. 2000. V. 214–215. P. 275
21. Chen M.C., Colombo L., Dodge J.A., Tregilgas J.H.//J. Electron. Mater. 1995. V. 24. No. 5. P. 539
|
Скачать полный текст статьи в PDF-формате
 Содержание выпуска № 2
|