УДК 621.383.4/5
Гетероструктуры AlGaN/AlN и солнечно-слепые p-i-n-фотоприемники
на их основе
К.О. Болтарь., И.В. Чинарева, М.В. Седнев, А.А. Лопухин, А.А. Мармалюк,
А.В. Мазалов, Д.Р. Сабитов, В.А. Курешов, А.А Падалица.
Представлены результаты работы по созданию AlGaN/AlN-гетероструктур на подложках сапфира методом МОС-гидридной
эпитаксии, пригодных для изготовления матриц ультрафиолетовых p-i-n-фотодиодов солнечно-слепых фотоприемных устройств и
результаты исследований ультрафиолетовых матричных фотоприемников формата 320x256 на их основе. Методом
высокоразрешающей микроскопии исследованы дефекты поверхности ГЭС-структур AlGaN и их влияние на дефектность
элементов ультрафиолетовых матричных фотоприемников.
PACS: 42.79.Pw, 85.60.Gz, 07.57.Kp, 85.60.Dw
Ключевые слова: AlGaN, солнечно-слепые фотодиоды, p-i-n-фотодиоды, ультрафиолетовые фотодиоды, МОС-гидридная эпитаксия.
Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1, профессор2
Чинарева Инна Викторовна, ведущий инженер технолог1
Седнев Михаил Васильевич, начальник участка1
Лопухин Алексей Алексеевич, начальник участка1
Мармалюк Александр Анатольевич, зам. генерального директора3, профессор4
Мазалов Александр Владимирович, инженер3
Сабитов Дамир Равильевич, инженер3
Курешов Владимир Александрович, ведущий инженер-технолог3
Падалица Анатолий Алексеевич, начальник отдела3
1ОАО «НПО «Орион».
Россия, 111123, Москва, шоссе Энтузиастов, 46/2
Тел.: (499) 374-81-30. E-mail: orion@orion-ir.ru
2Московский физико-технический институт.
Россия, 141700, г. Долгопрудный, Институтский пер., 9
3ОАО «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха»,
Россия, 117342, г. Москва, ул. Введенского, 3.
4МИТХТ им. М.В Ломоносова,
Россия, 119571, Москва, проспект Вернадского, 86.
Статья поступила в редакцию 30 июля 2013 г.
© Болтарь К.О., Чинарева И.В., Седнев М.В., Лопухин А.А.,
Мармалюк А.А., Мазалов, А.В., Сабитов Д.Р., Курешов В.А., Падалица А.А., 2013
|
|
Литература
1. Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. –М.: Физматкнига, 2011.
2. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025
3. Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 353
4. Kuznia J.N., Asif Khan M., Olson D.T., et al. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73(9). P. 4700
5. Lorenz K., Gonsalves M., Kim W., et al. //Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. No. 21. P. 3391
6. Lee I.-H., T.G., Park Y. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 234. P. 305
7. Jiang H.X., Lin J.Y. // Opto-Electronics Review. 2002. V.10(4). P. 271
8. Kamiyama S., Iwaya M., Hayashi N., et al. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 223. P. 83
9. Han J., Waldrip K. E., Lee S. R., et al. //Appl. Phys. Let. 2001. V. 78. No. 1. P. 67
10. McClintock R., Yasan A., Mayes K., et al. //Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 1248
11. Bourret-Courchense E.D., Kellermann S., Yu K.M., Benamara M., et al. // Appl. Phys. Let. 2000. V. 77. No. 22. P. 3562
12. Sakai S., Wang T., Morishima Y., Naoi Y. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 221. P. 334
13. Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Яковлева Н.И.и др. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. № 3, C. 344.
14. Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Седнев М.В., Яковлева Н.И. // Успехи прикладной физики. 2013. Т 1. № 2. С. 200
|
Скачать полный текст статьи в PDF-формате
 Содержание выпуска № 4
|