ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
|
Котов В. М., Шкердин Г. Н., Аверин С. В., Котов Е. В.
Высокочастотная акустооптическая дифракция четырехцветного излучения на одной акустической волне
| | 321 |
|
Петрин А. Б.
О нанофокусировке света на вершине металлического микроострия, расположенного над плоскослоистой структурой
| | 326 |
|
Виноградов С. В., Кононов М. А.
Расчет параметров многослойной структуры при резонансном возбуждении поверхностных плазмонов
| | 343 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
|
Зимин С. П., Горлачев Е. С., Мокров Д. А., Амиров И. И., Гременок В. Ф., Иванов В. А.
Динамика роста наноструктур на поверхности пленок SnS при плазменной обработке
| | 349 |
|
Ивонин В. В., Данилин А. Н., Ефимов Б. В., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Василяк Л. М.,
Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Сон Э. Е.
Оптические изображения искровых каналов при растекании импульсных токов в грунте
| | 355 |
|
Поляков Д. Н., Шумова В. В., Василяк Л. М.
Положительный столб тлеющего разряда в неоне с заряженными микрочастицами (обзор)
| | 362 |
|
Свитнев С. А., Попов О. А., Левченко В. А., Старшинов П. В.
Характеристики бесферритного индукционного разряда низкого давления. Часть 2. Излучательные характеристики плазмы
| | 372 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
|
Бурлаков И. Д., Козлов К. В., Патрашин А. И., Соляков В. Н., Филачев А. М.
Аналитическая модель облученности многоспектральных матричных фотоприемных устройств
| | 385 |
|
Яковлева Н. И., Никонов А. В.
Особенности спектральных зависимостей поглощения в структурах А3В5 и А2В6
| | 394 |
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
|
|
Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г., Мустафаев М. Г.
Профили концентрации и оптические константы ионно-имплантированных пленок соединений халькогенидов элементов первой группы
| | 403 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
|
Савенкова Н. П., Кузьмин Р. Н., Анпилов С. В., Калмыков А. В
Моделирование влияния динамики изменения внутреннего пространства ванны алюминиевого электролизёра на МГД-процессы
| | 409 |
|
Мандрыко Ю. А.
Исследование режимов функционирования газоразрядной лампы в электрической схеме с коммутирующим биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT)
| | 416 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
|
Импакт-факторы российских научных журналов за 2015 г. по данным Thomson Reuters
| | 428 |
|
Правила для авторов
| | 432 |
Содержание других выпусков журнала