УДК 621.31:535.215
Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge
для оптических систем передачи информации
А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.М. Турапин, И.С. Романов
В работе анализируются возможности создания фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Si/Ge
для оптических систем передачи информации. Проведен расчет параметров самоформирующихся островков германия на
кремнии в зависимости от условий роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
PACS: 85.60.Gz; 68.65.Hb; 81.10.Aj
Ключевые слова: инфракрасные фотодетекторы, наногетероструктуры, квантовые точки, волоконно-оптические линии связи.
Войцеховский Александр Васильевич, зав. кафедрой.
Коханенко Андрей Павлович, профессор.
Лозовой Кирилл Александрович, студент.
Турапин Алексей Михайлович, аспирант.
Романов Иван Сергеевич, студент.
Томский государственный университет.
Россия, 634045, Томск, пр. Ленина, 36.
Тел.: (3822) 412772.
E-mail: vav@elefot.tsu.ru; kokh@elefot.tsu.ru
Статья поступила в редакцию 20 марта 2013 г.
© Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.П.,
Турапин А.М., Романов И.С., 2013
|
|
Литература
1. Пчеляков О.П., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А. П. // Изв. вузов. Физика. 2010. № 9. С. 59
2. Kang L. Wang, Cha D, Liu J, Chen C. // Proc. of the IEEE. 2007. V. 95. No. 9. P. 1866
3. Elcurdi M., Boucaud P., Sauvage S. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. No. 3. P. 509
4. Tong S., Liu J.L., Wan J, Kang L. Wang // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. No. 7. P. 1189
5. Masini G., Colace L, Assanto G. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. No. 15. P. 2524
6. Elving A., Hansson G.V., Ni W.-X. // Physica E. 2003. V. 16. P. 528
7. Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Никифоров А.И. // ФТТ. 2005. Т. 47. № 1. С. 37
8. Yu J., Kasper E., Oehme M. // Thin Solid Films. 2006. V. 508. P. 396
9. Войцеховский А.В., Каширский Д.Е., Скрыльников А.А. // Изв. вузов. Физика. 2010. № 9/3. С. 151
10. Дубровский В. Г. // ФТП. 2006. Т. 40. № 10. С. 1153
|
Скачать полный текст статьи в PDF-формате
 Содержание выпуска № 3
|