УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Научно-технический журнал
2013, том 1, № 3
УДК 621.383.4/5

Матричные фотоприемные модули ультрафиолетового диапазона спектра
на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN

И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь, Н.И. Яковлева, Н.В. Кравченко, М.В. Седнев, Д.В. Смирнов, Н.A. Иродов

       Разработаны матричные ультрафиолетовые фотоприемные модули формата 320x256 элементов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN (ГЭС AlGaN), чувствительные в видимо-слепом и солнечно-слепом диапазонах УФ-диапазона. ГЭС AlGaN выращивались методами мосгидридной эпитаксии (МОС) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на сапфировых подложках. Для считывания фотосигнала с матриц p-i-n-фотодиодов использовалась БИС считывания на основе трансимпедансного усилителя с емкостной обратной связью. Качество p-i-n-фотодиодов оценивалось по измерению вольтамперных характеристик. Темновые токи, измеренные между разделенными элементами в мезаструктуре, составили менее 10-13 A, а сопротивление более 3·1013 Ом.

PACS: 42.79.Pw, 85.60.Gz, 07.57.Kp, 85.60.Dw
Ключевые слова: AlGaN, GaN, ультрафиолетовый спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, p-i-n-фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, ультрафиолетовый фотоприемный модуль.

Бурлаков Игорь Дмитриевич, зам. генерального директора1, профессор3.
Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1, профессор2.
Яковлева Наталья Ивановна, зам. начальника НИЦ1.
Седнев Михаил Васильевич, начальник участка1.
Кравченко Николай Владимирович, начальник ПТК1.
Смирнов Дмитрий Валентинович, инженер1.
Иродов Никита Александрович, инженер1.
1ОАО «НПО «Орион»».
Россия, 111396, Москва, шоссе Энтузиастов, 46/2
Тел.: (499) 374-81-30. E-mail: orion@orion-ir.ru
2Московский физико-технический институт.
Россия, 141700, Московская обл., г. Долгопрудный, Институтский пер., 9.
3Московский институт радиоэлектроники и автоматики (МИРЭА).
Россия, 119454, Москва, проспект Вернадского, 78

Статья поступила в редакцию 3 июня 2013 г.
© Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Яковлева Н.И., Седнев М.В.,
Кравченко Н.В., Смирнов Д.В., Иродов Н.А., 2013
  Литература
1. Long J.P., Varadaraajan S., Matthews J., and Schetzina J.F. // Opto-Electron. Rev. 2002. V. 10. No. 4. P. 251
2. Khan M. Asif, Shatalov M., Maruska H.P., et al. // Journal of Applied Physics. 2005. V. 44. No. 10. P. 7191
3. Khan M.A., Kuznia J.N. , Olson D.T., et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 2917
4. Khan M.A., Kuznia J.N., Olson D.T., et al.// Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 2455.
5. Katz O., Garber V., Meyler B., et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V.79. P. 1417
6. Katz O., Bahir G., and Salzman J.// Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 4092.
7. Chen Q., Khan M.A., Sun C. J., and Yang J. W. // Electron. Lett. 1995. V. 31. P. 1781.
8. McClintock Ryan, Cicek Erdem, Vashaei Zahra, et al. // Proc. of SPIE. 2007. V. 7780. P. 77801B-2-13.
9. Cohen, Zhu T., Liu L., et al. // IEEE APEC Austin. 2005. P. 311
10. Бурлаков И.Д. , Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Гринченко Л.Я., // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 6. C. 46
11. Бурлаков И.Д., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Журавлев К.С. // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 7. C. 37
12. Алтухов А.А. , Митягин А.Ю., Клочкова А.М., Орлова Г.А., // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2008. № 3. C. 3
13. Reine M.B. etc. // Proc. of SPIE. 2006. V. 6119. P. 611901-1
14. Stratton R. (1969) Tunneling in Schottky barrier rectifiers, in Tunneling Phenomena in Solids, 1967 NATO Advanced Study Institute at RisЕ Denmark (eds E. Burstein and S. Lundqvist), Plenum Press, New York.
Скачать полный текст статьи в PDF-формате


 Содержание выпуска № 3