УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Научно-технический журнал
2013, том 1, № 3
УДК 681.586.62; 536.516.2; 629.3.052.5

Исследование диффузии цинка в фосфид индия
и гетероэпитаксиальные структуры n-InP/n-In0.53Ga0.47As/n+-InP.

Д.С. Андреев, П.Е. Хакуашев, И.В. Чинарева, П.В. Горлачук, А.А. Мармалюк

       Целью данной работы является исследование диффузии цинка в фосфид индия и гетероэпитаксиальные структуры n-InP/n-In0.53Ga0.47As/n+-InP. В работе определен коэффициент диффузии цинка в монокристаллическом и эпитаксиальном InP, в гетероструктурах InP/InGaAs/InP. Определена зависимость времени диффузии от толщины эпитаксиального слоя и подобрана формула, удобная для практических расчетов. Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики фотодиодов.

PACS: 85.60.-q
Ключевые слова: монокристаллический, эпитаксиальный фосфид индия, гетероэпитаксиальная структуры n-InP/n-In0.53Ga0.47As/n+-InP, диффузия, коэффициент диффузии.

Андреев Дмитрий Сергеевич, ведущий инженер-технолог.
Хакуашев Павел Евгеньевич, начальник ПТЦ.
Чинарева Инна Викторовна, ведущий инженер-технолог.
ОАО «НПО «Орион».
Россия, 111123, Москва, шоссе Энтузиастов, 46/2
Тел.: (495) 672-20-31. E-mail: orion@orion-ir.ru
Мармалюк Александр Анатольевич, начальник отдела.
Горлачук Павел Владимирович, инженер.
ФГУП «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха.
Россия, 117342, Москва, ул. Введенского, 3.
E-mail: bereg@itnline.ru

Статья поступила в редакцию 15 мая 2013 г.
© Андреев Д.С., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В.,
Мармалюк А.А., Горлачук П.В., 2013
  Литература
1. MacDougal M., Hood A. et. al. .// Part of the SPIE Infrared Technology and Applications XXXVII. 2011. V. 8012. No. 21.
2. Болтакс Б.И., Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. // -Л.: Наука. 1972.
3. G.J. van Gurp et. al.// J. Appl.Phys. 1988. V. 64. No. 7.
4. Курносов А.И., Юдин В.В.Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. – М.: Высшая школа. 1979.
5. Marek H.S., Serreze H.B.// J. Appl.Phys. 1987. V. 51. No. 24.
6. Ohishi T. et. al.// Jap. J.of Appl.Phys. 1990. V. 28. No. 2. P. 213
7. Ando H. et. al.// IEEE Trans. on Electron Devices. 1982. V. ED-29. No. 9.
8. Fmbree P. et. al.// Appl. Phys. 1990. V. 56. No. 10.
9. Matsumoto Y.// Jap. J. of Appl. Phys. 1983. V. 22. No. 11. P. 1699
10. Aytac S., Schlachetzki S.// J. of Crystal Growth. 1983. V. 64. P. 169
Скачать полный текст статьи в PDF-формате


 Содержание выпуска № 3