УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Научно-технический журнал
2013, том 1, № 4
УДК 535.231.6

Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство формата 320x240
на основе оксида ванадия,
полученного методом реактивного ионно-лучевого распыления

В.Ш. Алиев, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин


       Установлено, что метод реактивного ионно-лучевого распыления в сравнении с золь-гель методом позволяет получать слои оксида ванадия, обладающие более высоким температурным коэффициентом сопротивления, большей однородностью и меньшим 1/f шумом. Применение этого метода позволило, не изменяя конструкцию и остальные технологические операции изготовления микроболометрического фотоприемного устройства формата 320x240, понизить эквивалентную шуму разность температур такого приемника от значения 100 мК, достигнутого в рамках золь-гель метода, до 50 мК.

PACS: 07.57.Kp; 73.50.Lw; 73.50.Td; 81.15.Cd; 81.15.Jj; 81.20.Fw
Ключевые слова: микроболометр, оксид ванадия, ионно-лучевое распыление, золь-гель, неохлаждаемый, инфракрасный, приемник.

Алиев Владимир Шакирович, ст. научн. сотрудник.
Демьяненко Михаил Алексеевич, ст. научн. сотрудник.
Есаев Дмитрий Георгиевич, зав. лабораторией.
Марчишин Игорь Владимирович, ст. научн. сотрудник.
Овсюк Виктор Николаевич, гл. научн. сотрудник.
Фомин Борис Иванович, вед. научн. сотрудник.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
Сибирского отделения РАН.
Россия, 630090, Новосибирск, пр-т. Ак. Лаврентьева, 13.
Тел.: (383)333-10-81. E-mail: demyanenko@isp.nsc.ru


Статья поступила в редакцию 20 января 2013 г.
© Алиев В.Ш., Демьяненко М.А., Есаев Д.Г.,
Марчишин И.Н., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., 2013
  Литература
1. Li C., Han C.J., Skidmore G. D., Hess C. DRS // Proc. SPIE. 2010. V. 7660. P.76600V.
2. Mizrahi U., Schapiro F., Bykov L., Giladi A., et al.. // Proc. SPIE. 2012. V. 8353. P. 83531H.
3. Robert P., Tissot JL., Pochic D., et al. // Proc. SPIE. 2012. V. 8353. P. 83531F.
4. Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Демьяненко М.А. и др. // Прикладная физика. 2005. № 6. С. 114.
5. Демьяненко М.А., Фомин Б.И., Васильева Л.Л., и др. // Прикладная физика. 2010. № 4. С.124.
6. Lee C.C., Hsu J.C., Wei D.T., Shen C. H. // Thin Solid Films. 1996. V.290-291. P. 88.
7 Cabarcos O.M, Basantani H.A., Bharadwaja S. S. N., et al. // Proc. SPIE. 2011 V. 8012, P. 80121K.
8. Gauntt B.D., Li J., Cabarcos O. M., Basantani H. A., et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 8012. P. 80123T.
9. Han C.J., Howard C.G., Howard P.E.,et al. // Proc. SPIE. 2004. V. 5406. P. 483.
10. Cole B.E., Higashi R.E., Ridley J.A., Wood R.A. // Proc. SPIE. 2001. V. 4369. P. 235.
11. Marshall C., Butler N., Blackwell R., et al. // Proc. SPIE. 1996. V. 2746. P. 23.
12. Ovsyuk V.N., Shashkin V.V., Fomin B.I., et al. // Proc. SPIE. 2005. V. 5957, P. 59571R.
13. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н.,и др.. // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 5.
14. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н., и др. // «Вестник НГУ», серия «Физика». 2010. Т. 5. № 4. С. 73.

Скачать полный текст статьи в PDF-формате


 Содержание выпуска № 4