УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Научно-технический журнал
2013, том 1, № 4

УДК 621.315.592

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ

А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух

Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x=0,21-0,23) с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом (CdTe) при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x=0,21-0,23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем – диффузией носителей заряда.

PACS: 73.40Qv, 73.21As, 85.60Gz, 73.61Ga.
Ключевые слова: МДП-структура, теллурид кадмия ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, фотоЭДС.

Войцеховский Александр Васильевич, зав. отделением.
Несмелов Сергей Николаевич, старший научный сотрудник.
Дзядух Станислав Михайлович, старший научный сотрудник.
Сибирский физико-технический институт
Томского государственного университета.
Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1.
Телефон: (3822)41-27-72. E-mail: vav@elefot.tsu.ru

Статья поступила в редакцию 14 января 2013 г.

Литература
1. Овсюк В.Н., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. – Новосибирск: Наука, 2001.
2. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. // Известия ВУЗов.Физика. 2005. № 6. С. 31.
3. Овсюк В.Н., Ярцев А.В. // Прикладная физика. 2007. № 5. C. 80.
4. Васильев В.В., Машуков Ю.П. // ФТП. 2007. № 1. С. 38.
5. Kinch M.A. // Semiconductors and Semimetals. 1981. V. 18. P. 313.
6. Войцеховский А.В., Давыдов В.Н. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозоных полупроводников. – Томск: Радио и связь, 1990.
7. Антонов В.В. // Дисс. на соис. ученой степени канд. физ.-мат. наук. – Томск. 1985.
8. Nakhmanson R. S. // Solid State Electronics. 1975. V. 18. No. 7-8. P. 617.
9. Nakhmanson R.S., Popov L.K. // Physica status solidi (a). 1978. V. 46, No. 1. P. 59.
10. Chapman R.A., Borrello S.R., Beck J.D., et al.// Electron Devices Meeting. 1979. V. 25. P. 567.
11. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. // Сборник трудов конференции «Оптика и образование-2004» Международного оптического конгресса XXI век». 21-22 октября 2004. года, Санкт-Петербург. С. 115.
12. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., А.П. Коханенко, и др. // Известия ВУзов.Физика. 2005. № 2. С. 35.
13. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., и др. // ФТП. 2008. № 11. С. 1327.
14. Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M.,et al. // Opto-Electronics Review. 2010. V. 18. No. 3. P. 259.
15. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Машуков Ю.П. // Известия ВУЗов. Физика. 2006. №10. С.70.
16. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. // Известия Вузов.Физика. 2009. № 10. С. 3.
17. He W., Celik-Butler Z. // Solid-State Electronics. 1996. V. 39. No. 1. P. 127.
18. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Варавин В.С. // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1076.
19. Васильев В.В., Машуков Ю.П.// Прикладная физика. 2010. №4. С. 106.

Скачать полный текст статьи в PDF-формате

Содержание выпуска № 4