УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Научно-технический журнал
2013, том 1, № 4



УДК 621.383.4/5

Применение модели показателя преломления в исследованиях оптических свойств ГЭС КРТ

А.В. Никонов, К.О. Болтарь, Н.И. Яковлева


       Проведен анализ существующих моделей показателя преломления КРТ. Разработана усовершенствованная модель зависимости показателя преломления, основанная на уравнениях Хёви-Вандамма и Крамерса-Кронига. Усовершенствована методика определения характеристик многослойных ГЭС КРТ по спектрам ИК-пропускания. Использование новой модели показателя преломления позволило уменьшить значения среднеквадратичных отклонений расчётных зависимостей от экспериментальных на 1-2 % для сложных структур, выращенных методами МЛЭ и осаждением из МОС.

PACS: 42.79.Pw, 85.60.Gz, 07.57.Kp, 85.60.Dw
Ключевые слова: CdHgTe, инфракрасный спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, показатель преломления, спектры пропускания.


Никонов Антон Викторович, инженер1.
Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1, профессор2.
Яковлева Наталья Ивановна, зам. начальника НИЦ1.
1ОАО «НПО «Орион»».
Россия, 111396, Москва, шоссе Энтузиастов, 46/2.
Тел.: (499) 374-81-30. E-mail: orion@orion-ir.ru
2Московский физико-технический институт.
Россия, 141700, г. Долгопрудный, Институтский пер., 9.


Статья поступила в редакцию 30 июля 2013 г.
© Никонов А.В., Болтарь К.О., Яковлева Н.И., 2013
  Литература
1. Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. – М.: Физматкнига, 2005.
2. Болтарь К.О., Стафеев В.И., Бурлаков И.Д. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. № 10. С. 1257
3. Бурлаков И.Д., Пономаренко В.П., Филачев А.М., Дегтярев Е.В.// Прикладная физика. 2007. № 2. С. 43.
4. Finkman E., Nemirovsky Y. // J Appl Phys. V. 50. P. 4356
5. Chu J., Sher A. Physics and properties of narrow gap semiconductors. Springer, 2008.
6. Kasap S., Capper P. Handbook of Electronic and Photonic Materials. Springer, 2006.
7. Болтарь К.О., Яковлева Н.И., Кашуба А.С., Удалова А.Г.. // Прикладная физика. 2008. № 1. С. 26
8. Hansen GL, Schmit JL, Casselman TN // J Appl Phys. V. 53. P. 7099
9. Болтарь К.О., Федирко В.А. Определение параметров слоистых полупроводниковых структур методами Фурье спектроскопии.//Тезисы докладов V отраслевой конф. Аналитические методы исследования материалов и изделий микророэлектроники. — М., ЦНИИ "Электроника", 1989.
10. Болтарь К.О., Яковлева Н.И., Никонов А.В. // Прикладная физика. 2011. № 5. C..100

Скачать полный текст статьи в PDF-формате


 Содержание выпуска № 4