УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Научно-технический журнал
2013, том 1, № 4
УДК 621.315.5

Исследование влияния дефектов в эпитаксиальных слоях CdхHg1-хTe
на фотоэлектрические параметры матричных фотоприемных устройств

Е. В. Пермикина, А. С. Кашуба, И.А. Никифоров


       Проведен анализ особенностей регистрации точечных источников излучения многорядными фотоприемными устройствами с режимом ВЗН. Определены зависимости регистрируемого сигнала и отношения сигнал/шум от размера фоточувствительных элементов, размера и положения пятна в фокальной плоскости, времени интегрирования фототока. Проведена оценка требований на синхронность скорости сканирования и опроса матрицы чувствительных элементов.

PACS: 42.79.Pw, 85.60.Gz, 07.57.Kp, 85.60.Dw
Ключевые слова: МФПУ, МФПУ, МФЧЭ, ГЭС КРТ, вольт-амперная характеристика, ВАХ, V-дефекты, электронная микроскопия

Пермикина Елена Вячеславовна, ведущий инженер.
Кашуба Алексей Сергеевич, и.о. начальника участка.
Никифоров Игорь Андреевич, техник.
ОАО «НПО «Орион».
Россия, 111123, Москва, шоссе Энтузиастов, 46/2.
E-mail: orion@orion-ir.ru


Статья поступила в редакцию 20 января 2013 г.
© Пермикина Е.В., Кашуба А.С.,Никифоров И.А., 2013
  Литература
1. Capper P., Garland J. Mercury Cadmium Telluride. Growth, Properties and Applications. - A John Wiley and Sons, Ltd., Publication. 2011
2. Филачёв А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. — М.: Физматкнига, 2011.
3. Филиппов С.Н., Болтарь К.О. // Труды МФТИ. 2010. Т. 2. № 1(5). С. 54.
4. Болтарь К.О., Яковлева Н.И. // Прикладная физика. 2004. № 3. С. 82.
5. Пермикина Е.В., Кашуба А. С., Арбенина В. В. // Неорганические материалы. 2012. Т. 48. № 7. С. 1.
6. Permikina E. V., Kashuba A. S., and Arbenina V. V. // Inorganic Materials. 2012. V. 48. No. 7. Р. 665.
7. Пермикина Е. В., Кашуба А. С.,. Ляликов А. В, и др. // Прикладная физика. 2012. № 5. С. 81.
8. Sabinina I.V., Gutakovsky A.K,. Sidorov Yu.G, et al. // Journal of Crystal Growth. 2005. V. 274. P. 339.
9. Логинов Ю.Ю., Браун П.Д., Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6. - М: Логос, 2003.
10. Багаев В.С., Клевков Ю.В., Зайцев В.В., и др. // Физика твердого тела. 2008. Т. 50. № 5. С. 774.
Скачать полный текст статьи в PDF-формате


 Содержание выпуска № 4