УДК: 537.311.322
Фоточувствительные МДП-структуры
со сверхтонким плазменным окислом на InAs
В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.В. Царенко, З.В. Панова
Приведены результаты исследований по пассивации поверхности InAs сверхтонкими окисными плёнками (~3нм) в плазме тлеющего разряда.
Впервые для МДП-структур на основе InAs при температуре жидкого азота наблюдались безгистерезисные зависимости ёмкости от смещени
в широком диапазоне полей от -7·106 до +5·106 В/см. МДП-структуры обладают ИК-фоточувствительностью
в токовом режиме. Оценочная
величина обнаружительной способности при азотной температуре составляет не хуже 1012 см·Гц1/2·Вт-1.
Обсуждается возможность защиты
поверхности структур плёнками Al2O3.
PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 81.65.Rv
Ключевые слова: арсенид индия, тонкие пленки, плазма тлеющего разряда, диэлектрические пленки, окисление.
Кеслер Валерий Геннадьевич, ст. научн. сотр.
Гузев Александр Александрович, вед. научн. сотр.
Ковчавцев Анатолий Петрович, вед. научн. сотр.
Курышев Георгий Леонидович, зав. лабораторией.
Царенко Алексей Викторович, вед. инженер.
Панова Зоя Васильевна, вед. инженер.
Институт физики полупроводников
им. А.В. Ржанова СО РАН.
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр-т. Лаврентьева, 13
Тел.: (383) 333-35-04. E-mail: kesler@isp.nsc.ru
Статья поступила в редакцию 15 января 2013
© Кеслер В.Г., Гузеев А.А., Ковчавцев А.П.,
Курышев Г.Л., Царенко А.В., Панова З.В. 2013
|
|
Литература
1. Курышев Г.Л., Ли И.И., Базовкин В.М. и др. // Прикладная физика. 2009. № 2. С. 79
2. Овсюк В.Н., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. -Новосибирск: Наука, 2001
3. Кеслер В.Г., Ковчавцев А.П., Гузев А.А., Панова З.В., Курышев Г.Л.. // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2010. Т. 7. № 4. С. 82
4. Кеслер В.Г. // Журнал структурной химии. Приложение. 2011. Т. 52. С. s156
5. Кеслер В.Г., Ковчавцев А.П., Гузев А.А., Панова З.В. Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 и способ её формирования. / Российский патент RU 2420828 C1. Опубликован 10.06.2011 Бюл. № 16.
6. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И. и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. № 5. C. 108
7. Kesler V. G. , Seleznev V.A., Kovchavtsev A. P., and Guzev A.A // Appl. Surf. Sci. 2010. V. 256. P. 4626
8. Bazovkin V.M., Kurushev G.L., and Polovinkin. V.G. // Phys. Stat. Sol.(a). 1982. V..74. P. 297
9. Frantsuzov A.A., Okhonin S.A., and Pogosov A.G. // Phys.Stat.Sol.(b). 1986. V. 136. P. 241
10. Tsuneya Ando, Alan B. Fowler and Frank Stern. // Reviews of Modern Physics. 1982. V. 54. No. 2. P. 437
11. А. ван дер Зил. Шумы при измерениях. -Москва: Мир, 1979
12. Перевалов Т.В., Гриценко В.А. // УФН. 2010. T. 18. № 6. C. 587
13. Novikov Yu.N., Gritsenko V.A., and Nasyrov K.A. // Appl.Phys.Lett. 2009. V. 94. P. 222904
14. Trinh H.D., Brammertz G., Chang E.Y., et al. // IEE Electron Device Letters. 2011. V. 32. No. 6. P. 752
|
Скачать полный текст статьи в PDF-формате
 Содержание выпуска № 2
|