УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Научно-технический журнал
2013, том 1, № 2



СОДЕРЖАНИЕ

ОБЩАЯ ФИЗИКА
Микаэлян М. А. Алгебра кватернионов и уравнение Паули     127
Голятина Р.И., Майоров С.А. Расчеты зависимости характеристик дрейфа иона в собственном газе от напряженности электрического поля для инертных газов     135
Охрем В.Г. Поперечная термоэдс и вихревые термоэлектрические токи в анизотропном термоэлектрике     141
Мусаев А.М. Особенности изменения электрических параметров кремниевых p+–n–n+-структур, облученных электронами     147
Акаткин О.А., Кулиш О.А., Петрова О.В. Прогноз распределений поглощенных доз по данным измерений в низкоатомной среде при облучении нейтронами высоких энергий     151

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Алферов Д.А., Ахметгареев М.Р., Сидоров В.А. Сильноточные управляемые разрядники для различных применений     154
Корсунов К.А., Божко Р.Н. Повышение эффективности работы электродуговых плазмотронов для обработки материалов     161
Зибров М.С., Писарев А.А., Ходаченко Г.В., Мозгрин Д.В. Создание тонких защитных углеродных покрытий на алюминии     167
Казиев А.В., Хромов П.А., Щелканов И.А., Ходаченко Г.В., Степанова Т.В., Тумаркин А.В. Экспериментальное исследование сильноточного импульсного магнетронного разряда с управляемой конфигурацией внешнего магнитного поля     173
Горшунов Н.М., Потанин Е.П. Влияние холловских эффектов на устойчивость вращающейся плазмы     178
Бакшт Ф.Г., Лапшин В.Ф. Перенос энергии излучением в аксиально-симметричной ЛТР-плазме в условиях импульсного разряда высокого давления в цезии     183
Чихачев А.С. Ионно-электронный ансамбль в электрическом поле     189

  ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Кеслер В.Г., Гузев А.А., Ковчавацев А.П., Курышев Г.Л., Царенко А.В., Панова З.В. Фоточувствительные МДП-структуры со сверхтонким окислом на InAs     193
Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Седнев М.В., Яковлева Н.И. Характеристики матриц p-i-n-фотодиодов из AlGaN фотоприемных устройств ультрафиолетового диапазон     200
Трошин Б.В., Климанов Е.А., Седнев М.В. Исследование причин возникновения дефектов при напылении слоя индия     208
Чилясов А.В., Моисеев А.Н., Степанов Б.С., Савлинов К.Е., Котков А.П., Гришнова Н.Д. Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe на подложках GaAs большого диаметра химическим осаждением из паров MOC и ртути     213
Еремчук А.И., Полесский А.В., Самвелов А.В., Сысоев Д.А., Хамидуллин К.А. Бесконтактный способ контроля углового перемещения охладителя микрокриогенной системы Стирлинга при охлаждении матричных фотоприемных устройств     220
Еремчук А.И., Самвелов А.В., Широков Д.А., Сысоев Д.А., Оганесян Н.Н. Оптимизация давления рабочего газа при промывке перед заполнением микрокриогенных систем охлаждения МФПУ     224

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА
Горелик Л.И., Полесский А.В. Двухдиапазонный инфракрасный объектив     227
Бочков В.Д., Бычковский Я.С., Дражников Б.Н., Кондюшин И.С., Козлов К.В. Информационно-измерительная установка для контроля фотоэлектрических параметров фотоприемных устройств     231
Лопаткин С.В., Власов В.В., Данилов А.Г. Данилов Б.Г., Кручинин М.А. Влияние фракционного состава оксида цинка (II) на некоторые электрофизические свойства оксидноцинковых варисторов     236

ИНФОРМАЦИЯ
Памяти Виталия Ивановича Стафеева    241
11-й Всероссийский семинар по проблемам электронной и ионной оптики     243
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике     245
Правила для авторов     247

 Содержание других выпусков журнала