УДК 621.383
Характеристики матриц p-i-n-фотодиодов из AlGaN
фотоприемных устройств ультрафиолетового диапазон
К.О. Болтарь1,2, И.Д. Бурлаков1, М.В. Седнев1, Н.И. Яковлева1
Изготовлены и исследованы матрицы чувствительных элементов на основе p–i–n-фотодиодов из AlGaN формата 320x256 элементов
с шагом 30 мкм и размером фоточувствительной площадки 20x20 мкм2 для подтверждения возможности создания матричных
ультрафиолетовых фотоприемных устройств. Качество p–i–n-фотодиодов оценивалось по измерению вольтамперных характеристик.
Темновые токи, измеренные между разделенными элементами в мезаструктуре, составили менее 10-13 A, а сопротивление
более 1012 Ом·см.
PACS: 42.79.Pw, 85.60.Gz, 07.57.Kp, 85.60.Dw
Ключевые слова: AlGaN, GaN, ультрафиолетовый спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, p–i–n-фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, матричное фотоприемное устройство, МФПУ.
Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1, профессор2.
Бурлаков Игорь Дмитриевич, зам. генерального директора по инновациям и науке1.
Седнев Михаил Васильевич, начальник участка1.
Яковлева Наталья Ивановна, зам. начальника НИЦ1.
1ОАО «НПО "Орион"».
Россия, 111123, Москва, шоссе Энтузиастов, 46/2
Тел.: (499) 374-81-30. E-mail: orion@orion-ir.ru
2Московский физико-технический институт.
Россия, 141700, Московская обл., г. Долгопрудный, Институтский пер., 9.
Статья поступила в редакцию 27 марта 2013 г.
© Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Седнев М.В., Яковлева Н.И., 2013
|
|
Литература
1. P. Lamarre etc., AlGaN p-i-n Photodiode Arrays for Solar-Blind Applications. // Mat. Res. Soc.
Symp. 2001, V. 639 © Materials Research Society.
2 M.B.Reine etc. // Proc. of SPIE. 2006. V. 6119. P. 611901-1.
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 2917.
4. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 2455
5. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V.79. P. 1417.
6. O. Katz, G. Bahir, and J. Salzman // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 4092.
7. Q. Chen, M. A. Khan, C. J. Sun, and J. W. Yang, // Electron. Lett. 1995. V. 31. P. 1781.
8. I. Cohen, T. Zhu, L. Liu, et al. // R. Stall, in IEEE APEC, Austin. 2005. P. 311.
9. J.P. Long etc. // Opto-electronics Reviews. 2002. No. 10 (4). P. 251.
10. Pearton, S.J., Zolper, J.C., Shul, R.J. and Ren, F. // Journal of Applied Physics. 1999. V. 86. P. 1.
11. Shul, R.J., Kilcoyne, S.P., et al. // Applied Physics Letters. 1995. V. 66. P. 1761.
12. Molnar, B., Eddy, C.R., Jr and Doverspike, K. // Journal of Applied Physics. 1995. V. 76. P. 6132.
13. Vartuli, C.B., Pearton, S.J., Lee, J.W., et al. // Journal of the Electrochemical Society. 1996. V. 143.P. 3681.
14. Minsky, M.S., White, M. and Hu, E.L. // Applied Physics Letters. 1996. V. 68. P. 1531.
15. Lu, H.,Wu, Z. and Bhat, I. // Journal of the Electrochemical Society.1997. V. 144. P. L8.
6. Youtsey, C., Adesida, I., Romano, L.T. and Bulman, G. //Applied Physics Letters. 1998. V. 72. P. 560.
17. Adesida, I., Youtsey, C., Ping, A.T., et al. // MRS Internet Journal of Nitride.1999.
18. Stocker,D.A., Schubert, E.F., Boutros, K.S. and Redwing, J.M. // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 1999. V. 4S1, G7.5; Stocker, D.A., Schubert, E.F., Boutros, K.S. and Redwing, J.M. (1999) Fabrication of smooth GaN-based laser facets. GaN and Related Alloys Symposium, Material Research Society, Warrendale, PA, p. G7.5.1/6.
19. Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. – М: Радио и связь, 1992
|
Скачать полный текст статьи в PDF-формате
 Содержание выпуска № 2
|