ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
Бычков В. Л., Дешко К. И., Черников В. А.
Стимулированное зажигание и гашение катодного пятна в маломощном разряде с плазменной инжекцией
| | 373 |
Кобелев А. А., Андрианов Н. А., Барсуков Ю. В., А. С. Смирнов
Численное моделирование режимов обработки поверхности GaN в BCl3-плазме высокочастотного индукционного разряда
| | 381 |
Никонов А. М., Неклюдова П. А., Кралькина Е. А., Вавилин К. В., Задириев И. И.
Поглощение мощности и волновая структура, возникающие в индуктивном высокочастотном источнике плазмы, помещенном в слабое внешнее магнитное поле
| | 390 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
Айнбунд М. Р., Миронов Д. Е., Зубков В. И.
Гибридные фотоэлектронные приборы (обзор)
| | 401 |
Кремис И. И.
Показатель коррекции неоднородности как критерий качества фотоприемных устройств ИК-диапазона
| | 409 |
Ли И. И.
Перспективные направления развития устройств считывания многоэлементных ИК фотоприемных устройств (обзор)
| | 417 |
Половинкин В. Г., Стучинский В. А., Вишняков А. В., Ли И. И.
Фотоэлектрические характеристики многоэлементных ИК фотоприемных устройств при регистрации точечных источников излучения
| | 422 |
Седнев М. В., Журавлев К. С., Трухачев А. В., Иродов Н. А., Ладугин М. А.
Матричные фотодиоды ультрафиолетового диапазона на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN, полученных
молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксиями
| | 430 |
Кузнецов П. А., Мощев И. С.
Фотоприемное устройство коротковолнового ИК-диапазона формата 640х512 элементов с увеличенным динамическим диапазоном
| | 438 |
Ковшов В. С., Патрашин А. И., Никонов А. В.
Математическая модель альтернативного метода измерения спектральной чувствительности ИК матричного фотоприемного устройства
| | 443 |
ПЕРСОНАЛИИ
|
Юбилей М. А. Тришенкова
| | 450 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
XLVI Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу
| | 451 |
Содержание других выпусков журнала